Numer produktu producenta:
IXFN70N120SK
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFN70N120SK-DG
Opis:
SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 68A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Magazyn:
12820846
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFN70N120SK Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
68A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
20V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 15mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
161 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
+20V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2790 pF @ 1000 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Chassis Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Pakiet / Walizka
SOT-227-4, miniBLOC
Podstawowy numer produktu
IXFN70
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
10
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTY18P10T
MOSFET P-CH 100V 18A TO252
IXTN120N25
MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B
IXTV22N60P
MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220
