Numer produktu producenta:
IXFN320N17T2
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFN320N17T2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 170V 260A SOT227B
Szczegółowy opis:
N-Channel 170 V 260A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Magazyn:
12819306
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFN320N17T2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, TrenchT2™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
170 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
260A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
640 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
45000 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1070W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Chassis Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Pakiet / Walizka
SOT-227-4, miniBLOC
Podstawowy numer produktu
IXFN320
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
10
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFR4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 3.5A ISOPLS247
IXTX4N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 4A TO247PLUSHV
IRLR3715Z
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
