Numer produktu producenta:
IXFN26N90
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFN26N90-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
Szczegółowy opis:
N-Channel 900 V 26A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Magazyn:
12820003
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFN26N90 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
26A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
300mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10800 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
600W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Chassis Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Pakiet / Walizka
SOT-227-4, miniBLOC
Podstawowy numer produktu
IXFN26
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IXFN26N90-NDR
Pakiet Standard
10
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXFN40N90P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXFN40N90P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
29.98
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTH2N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV
IXFN80N50Q3
MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
IXFN240N25X3
MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B
