Numer produktu producenta:
IXFN180N20
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFN180N20-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 180A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Magazyn:
12819922
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFN180N20 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
180A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
660 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
22000 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
700W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Chassis Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Pakiet / Walizka
SOT-227-4, miniBLOC
Podstawowy numer produktu
IXFN180
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IXFN180N20-NDR
Pakiet Standard
10
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXFN210N20P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXFN210N20P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
33.70
Rodzaj zastąpienia
Direct
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFK32N60
MOSFET N-CH 600V 32A TO264AA
IXKH30N60C5
MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
IXTH16P60P
MOSFET P-CH 600V 16A TO247