Numer produktu producenta:
IXFN170N65X2
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFN170N65X2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 170A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Magazyn:
20 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12820232
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFN170N65X2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, Ultra X2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
170A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
13mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
434 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
27000 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1170W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Chassis Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Pakiet / Walizka
SOT-227-4, miniBLOC
Podstawowy numer produktu
IXFN170
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
10
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFH12N90
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
IXTN8N150L
MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
IXFP8N85XM
MOSFET N-CH 850V 8A TO220
