Numer produktu producenta:
IXFN100N65X2
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFN100N65X2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 78A (Tc) 595W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Magazyn:
16 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12821060
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFN100N65X2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, Ultra X2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
78A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10800 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
595W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Chassis Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Pakiet / Walizka
SOT-227-4, miniBLOC
Podstawowy numer produktu
IXFN100
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
10
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTA1R6N50D2
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263
IXTH12N100Q
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
IXTP4N60P
MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
