Numer produktu producenta:
IXFN100N10S1
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFN100N10S1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 360W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Magazyn:
12821587
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFN100N10S1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
-
Seria
HiPerFET™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
15mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
360W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Chassis Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Pakiet / Walizka
SOT-227-4, miniBLOC
Podstawowy numer produktu
IXFN100
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
10
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
APT10M11JVRU2
PRODUCENT
Microchip Technology
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
APT10M11JVRU2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
30.73
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IXFN360N10T
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXFN360N10T-DG
CENA JEDNOSTKOWA
16.71
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFH160N15T
MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
IXFH18N60X
MOSFET N-CH 600V 18A TO247
AUIRF1404S
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
