IXFK90N30
Numer produktu producenta:

IXFK90N30

Product Overview

Producent:

IXYS

Numer części:

IXFK90N30-DG

Opis:

MOSFET N-CH 300V 90A TO-264
Szczegółowy opis:
N-Channel 300 V 90A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Magazyn:

12908970
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IXFK90N30 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
300 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
90A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
33mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10000 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
560W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-264AA (IXFK)
Pakiet / Walizka
TO-264-3, TO-264AA
Podstawowy numer produktu
IXFK90

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
25

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
IXFK140N30P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
202
NUMER CZĘŚCI
IXFK140N30P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
13.24
Rodzaj zastąpienia
Direct
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
vishay-siliconix

IRFBF20STRLPBF

MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

littelfuse

IXFT26N60P

MOSFET N-CH 600V 26A TO268

vishay-siliconix

IRF730SPBF

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRFD310PBF

MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP