IXFH8N80
Numer produktu producenta:

IXFH8N80

Product Overview

Producent:

IXYS

Numer części:

IXFH8N80-DG

Opis:

MOSFET N-CH 800V 8A TO247AD
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Magazyn:

12913928
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IXFH8N80 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
-
Seria
HiPerFET™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.5mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2600 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
180W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AD (IXFH)
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
IXFH8

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
30

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
STW10NK80Z
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
39
NUMER CZĘŚCI
STW10NK80Z-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.27
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
vishay-siliconix

IRFR420APBF

MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK

vishay-siliconix

IRFIBC20GPBF

MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3

vishay-siliconix

SI3441BDV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.45A 6TSOP

vishay-siliconix

SI8405DB-T1-E1

MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT