Numer produktu producenta:
IXFH50N85X
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFH50N85X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 850V 50A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 850 V 50A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Magazyn:
1126 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12821192
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFH50N85X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, Ultra X
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
850 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
50A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
105mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4480 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
890W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247 (IXTH)
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
IXFH50
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTV130N15T
MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220
IXFK400N15X3
MOSFET N-CH 150V 400A TO264
IXFT58N20Q
MOSFET N-CH 200V 58A TO268
