Numer produktu producenta:
IXFA4N100P
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFA4N100P-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Szczegółowy opis:
N-Channel 1000 V 4A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Magazyn:
12819527
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFA4N100P Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, Polar
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1456 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263AA (IXFA)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IXFA4N100
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRFBF30STRLPBF
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
911
NUMER CZĘŚCI
IRFBF30STRLPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.50
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFT13N80Q
MOSFET N-CH 800V 13A TO268
IXFR200N10P
MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
IXTP180N085T
MOSFET N-CH 85V 180A TO220AB