Numer produktu producenta:
IXFA3N80
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFA3N80-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Magazyn:
12907050
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFA3N80 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
-
Seria
HiPerFET™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
685 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263AA (IXFA)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IXFA3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRFBE30SPBF
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IRFBE30SPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.34
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFR9210TR
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
IRF9Z34STRLPBF
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
IXKR25N80C
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
