Numer produktu producenta:
IXFA3N120-TRL
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFA3N120-TRL-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Magazyn:
12820455
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFA3N120-TRL Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
HiPerFET™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1050 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263AA (IXFA)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IXFA3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IXFA3N120-TRLCT
IXFA3N120TRLCT-DG
IXFA3N120-TRLTR
IXFA3N120TRL
IXFA3N120TRLTR-DG
IXFA3N120TRLTR
IXFA3N120-TRLDKR
IXFA3N120TRLCT
IXFA3N120TRLDKR
IXFA3N120TRLDKR-DG
Pakiet Standard
800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTQ56N15T
MOSFET N-CH 150V 56A TO3P
IXFK80N10Q
MOSFET N-CH TO-264AA
IXTH6N90
MOSFET N-CH 900V 6A TO247
