Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
IV1Q12050T4
Product Overview
Producent:
Inventchip
Numer części:
IV1Q12050T4-DG
Opis:
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 344W (Tc) Through Hole TO-247-4
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12975354
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IV1Q12050T4 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Inventchip Technology
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
58A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
20V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 6mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
120 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
+20V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2750 pF @ 800 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
344W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-4
Pakiet / Walizka
TO-247-4
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
IV1Q12050T4
Karta danych HTML
IV1Q12050T4-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
4084-IV1Q12050T4
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PH5830DLX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
FDT3612-SN00151
MOSFET N-CH 100V SOT223
CTLM7110-M832D BK
TRANSISTOR
PJMP120N60EC_T0_00001
600V SUPER JUNCITON MOSFET