IV1Q12050T4
Numer produktu producenta:

IV1Q12050T4

Product Overview

Producent:

Inventchip

Numer części:

IV1Q12050T4-DG

Opis:

SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 344W (Tc) Through Hole TO-247-4

Magazyn:

12975354
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IV1Q12050T4 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Inventchip Technology
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
58A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
20V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 6mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
120 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
+20V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2750 pF @ 800 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
344W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-4
Pakiet / Walizka
TO-247-4

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
4084-IV1Q12050T4
Pakiet Standard
30

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
nexperia

PH5830DLX

MOSFET N-CH 30V LFPAK

onsemi

FDT3612-SN00151

MOSFET N-CH 100V SOT223

panjit

PJMP120N60EC_T0_00001

600V SUPER JUNCITON MOSFET