Numer produktu producenta:
IRFHS8242TRPBF
Product Overview
Producent:
International Rectifier
Numer części:
IRFHS8242TRPBF-DG
Opis:
IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 25 V 9.9A (Ta), 21A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Magazyn:
177700 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12946436
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRFHS8242TRPBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Opakowanie
Bulk
Seria
HEXFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9.9A (Ta), 21A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
13mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
653 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
6-PQFN (2x2)
Pakiet / Walizka
6-PowerVDFN
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
ROCIRFIRFHS8242TRPBF
2156-IRFHS8242TRPBF
Pakiet Standard
1,689
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8542.39.0001
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDMS7672
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQPF22N30
MOSFET N-CH 300V 12A TO220F
IRF6722MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT
