Numer produktu producenta:
IRF1010ZPBF
Product Overview
Producent:
International Rectifier
Numer części:
IRF1010ZPBF-DG
Opis:
IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Szczegółowy opis:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Magazyn:
350 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12946961
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
9D4n
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF1010ZPBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Opakowanie
Bulk
Seria
HEXFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
75A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2840 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
140W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IFEIRFIRF1010ZPBF
2156-IRF1010ZPBF-IR
Pakiet Standard
320
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8542.39.0001
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDD8882
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDMS8023S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
