Numer produktu producenta:
SPP18P06PHXKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
SPP18P06PHXKSA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3
Magazyn:
711 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12808072
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SPP18P06PHXKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
SIPMOS®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
18.7A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
860 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
81.1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
SPP18P06
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SPP18P06P G-DG
IFEINFSPP18P06PHXKSA1
SPP18P06P H
SPP18P06PH
2156-SPP18P06PHXKSA1
SP000446906
SPP18P06P G
SPP18P06P H-DG
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SPP21N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3
SPU11N10
MOSFET N-CH 100V 10.5A TO251-3
SPS04N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3