Numer produktu producenta:
SPP17N80C3XKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
SPP17N80C3XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Magazyn:
1700 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12807573
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SPP17N80C3XKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
17A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
177 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2320 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220-3-1
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
SPP17N80
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SPP17N80C3XTIN
SPP17N80C3IN
SP000683164
SPP17N80C3XK
SP000013354
SPP17N80C3X
SPP17N80C3IN-DG
SPP17N80C3
SPP17N80C3IN-NDR
SPP17N80C3XTIN-DG
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRLR7807ZTRPBF
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
IRF7220TRPBF
MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
SPW11N80C3FKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
