Numer produktu producenta:
SPI80N10L
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
SPI80N10L-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Magazyn:
13064307
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SPI80N10L Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
SIPMOS®
Opakowanie
Tube
Stan części
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
14mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 2mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4540 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO262-3-1
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
SPI80N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP000014351
SPI80N10LX
Pakiet Standard
500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STD80N10F7
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2500
NUMER CZĘŚCI
STD80N10F7-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.69
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRLZ24NSPBF
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
SPB18P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
SPD07N60C3ATMA1
LOW POWER_LEGACY
