Numer produktu producenta:
SPD100N03S2L04T
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
SPD100N03S2L04T-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 100A TO252-5
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-5-1
Magazyn:
12806107
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SPD100N03S2L04T Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
89.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3320 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-5-1
Pakiet / Walizka
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Podstawowy numer produktu
SPD100N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP000013966
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SPP80N06S2L-11
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRLR8259PBF
MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
IRF7703TRPBF
MOSFET P-CH 40V 6A 8TSSOP