Numer produktu producenta:
SIPC10N65C3X1SA2
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
SIPC10N65C3X1SA2-DG
Opis:
MOSFET
Szczegółowy opis:
Magazyn:
12807801
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SIPC10N65C3X1SA2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
-
Technologia
-
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
-
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
-
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (maks.)
-
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Temperatura
-
Rodzaj montażu
-
Pakiet urządzeń dostawcy
-
Pakiet / Walizka
-
Podstawowy numer produktu
SIPC10
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001611950
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SPD30N03S2L10GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
SPP80N08S2L-07
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
SI3443DV
MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
