Numer produktu producenta:
IST015N06NM5AUMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IST015N06NM5AUMA1-DG
Opis:
OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 36A (Ta), 242A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-5-1
Magazyn:
1806 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13001206
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IST015N06NM5AUMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™5
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
36A (Ta), 242A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 95µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5200 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.8W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-HSOF-5-1
Pakiet / Walizka
5-PowerSFN
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP005589487
448-IST015N06NM5AUMA1TR
448-IST015N06NM5AUMA1CT
448-IST015N06NM5AUMA1DKR
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFP4668PBFXKMA1
TRENCH >=100V PG-TO247-3
PJQ1906_R1_00001
MOSFET N-CH 30V 300MA DFN-3L
18N20
N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
