Numer produktu producenta:
ISP13DP06NMSATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
ISP13DP06NMSATMA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V SOT223
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 2.8A (Ta) Surface Mount PG-SOT223
Magazyn:
12806517
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
ISP13DP06NMSATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
-
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (maks.)
±20V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Temperatura
-
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-SOT223
Pakiet / Walizka
TO-261-4, TO-261AA
Podstawowy numer produktu
ISP13DP06
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-ISP13DP06NMSATMA1TR
448-ISP13DP06NMSATMA1DKR
ISP13DP06NMSATMA1-DG
448-ISP13DP06NMSATMA1CT
SP004987238
448-ISP13DP06NMSATMA1TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SPA07N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
IRFU15N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 17A IPAK
IRF5210STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
