Numer produktu producenta:
IRLI530N
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRLI530N-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Magazyn:
12806496
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRLI530N Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
HEXFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
34 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
800 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
41W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220-FP
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Karta katalogowa i dokumenty
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
*IRLI530N
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRLI530GPBF
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
795
NUMER CZĘŚCI
IRLI530GPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.72
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SPD08N50C3BTMA1
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO252-3
IRF830PBF
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
IRFS4410TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
