Numer produktu producenta:
IRL3303S
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRL3303S-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 38A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Magazyn:
12807910
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRL3303S Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
HEXFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
38A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
26mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
870 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Karta katalogowa i dokumenty
Zasoby projektowe
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
*IRL3303S
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SPD02N50C3BTMA1
LOW POWER_LEGACY
IRLR8103TR
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
SPP04N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-3