Numer produktu producenta:
IRFSL3607PBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRFSL3607PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 75V 80A TO262
Szczegółowy opis:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262
Magazyn:
12805291
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRFSL3607PBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
HEXFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
75 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3070 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
140W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-262
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001565218
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFR13N20DTRL
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
IRF3710PBF
MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
IRF7433
MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO
