Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
IRFS4410PBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRFS4410PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 88A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12804196
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRFS4410PBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
HEXFET®
Status produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
88A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5150 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
IRFS4410PBF
Karta danych HTML
IRFS4410PBF-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001573484
2832-IRFS4410PBF
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
HUF75545S3ST
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
6270
NUMER CZĘŚCI
HUF75545S3ST-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.50
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
PSMN9R5-100BS,118
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5520
NUMER CZĘŚCI
PSMN9R5-100BS,118-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.92
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
BUK969R3-100E,118
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
BUK969R3-100E,118-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.17
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IPB083N10N3GATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4514
NUMER CZĘŚCI
IPB083N10N3GATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.65
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
STB80NF10T4
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
775
NUMER CZĘŚCI
STB80NF10T4-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.46
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF200P222
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
IRFR9N20DTR
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
IPW60R299CPFKSA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
IRF7459TRPBF
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO