Numer produktu producenta:
IRFS33N15DPBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRFS33N15DPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 150 V 33A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Magazyn:
12805005
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRFS33N15DPBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
HEXFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
33A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
56mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2020 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.8W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
*IRFS33N15DPBF
SP001571762
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FDB2572
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
593
NUMER CZĘŚCI
FDB2572-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.84
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFZ44VZSPBF
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
IRLML2803TR
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
IRFU48ZPBF
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
