Numer produktu producenta:
IRFB4510PBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRFB4510PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 62A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 62A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Magazyn:
1965 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12805701
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRFB4510PBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
HEXFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
62A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3180 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
140W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IRFB4510
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001566724
Pakiet Standard
100
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPU50R950CEAKMA2
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
IRLS3036PBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IRF7322D1TR
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
