Numer produktu producenta:
IRFB4229PBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRFB4229PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 250 V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Magazyn:
993 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12804116
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRFB4229PBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
HEXFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
46A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
46mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4560 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
330W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IRFB4229
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001565910
2156-IRFB4229PBF
IFEINFIRFB4229PBF
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPP50R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
IPA60R450E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-FP
IPZ65R045C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO247
