Numer produktu producenta:
IRFB4019PBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRFB4019PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 150 V 17A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Magazyn:
743 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12804430
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRFB4019PBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
17A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
95mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 50µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
800 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
80W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IRFB4019
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-IRFB4019PBF-448
SP001572370
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPC100N04S5L1R1ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IRFS23N20D
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
IPP17N25S3100AKSA1
MOSFET N-CH 250V 17A TO220-3
