Numer produktu producenta:
IRF9910TRPBF-1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF9910TRPBF-1-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SOIC
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 20V 10A (Ta), 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
12939523
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF9910TRPBF-1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
HEXFET®
Status produktu
Obsolete
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Ta), 12A (Ta)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
13.4mOhm @ 10A, 10V, 9.3mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
11nC @ 4.5V, 23nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
900pF @ 10V, 1860pF @ 10V
Moc - Max
2W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Podstawowy numer produktu
IRF99
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IRF9910TRPBF-1TR
SP001555924
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FDS6898AZ
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
11881
NUMER CZĘŚCI
FDS6898AZ-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.42
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
MSCSM70TAM19CT3AG
SIC 6N-CH 700V 124A SP3F
MSCSM120AM08CT3AG
SIC 2N-CH 1200V 337A SP3F
MSCSM120AM02CT6LIAG
SIC 2N-CH 1200V 947A SP6C LI
