Numer produktu producenta:
IRF9389TRPBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF9389TRPBF-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 30V 6.8A, 4.6A 2W Surface Mount 8-SO
Magazyn:
16231 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12805011
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF9389TRPBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
HEXFET®
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
N and P-Channel
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6.8A, 4.6A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
27mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 10µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
398pF @ 15V
Moc - Max
2W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Podstawowy numer produktu
IRF9389
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001551666
IRF9389TRPBFTR
IRF9389TRPBFCT
IRF9389TRPBFDKR
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF7342PBF
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
IRF7314QTRPBF
MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SOIC
IRF7329PBF
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
