Numer produktu producenta:
IRF8327STR1PBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF8327STR1PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Magazyn:
12804599
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF8327STR1PBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
14A (Ta), 60A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1430 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DIRECTFET™ SQ
Pakiet / Walizka
DirectFET™ Isometric SQ
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IRF8327STR1PBFCT
IRF8327STR1PBFDKR
SP001565762
IRF8327STR1PBF-DG
IRF8327STR1PBFTR
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPZA60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
IRLR2908TRLPBF
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
IPP80R450P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
