Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
IRF7769L2TRPBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF7769L2TRPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12815001
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF7769L2TRPBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
HEXFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
375A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 74A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
11560 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DirectFET™ Isometric L8
Pakiet / Walizka
DirectFET™ Isometric L8
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
IRF7769L2TRPBF
Karta danych HTML
IRF7769L2TRPBF-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-IRF7769L2TRPBF
SP001577490
IRF7769L2TRPBFDKR
IRF7769L2TRPBFTR
IRF7769L2TRPBFCT
IRF7769L2TRPBF-DG
IFEINFIRF7769L2TRPBF
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRF7749L1TRPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2868
NUMER CZĘŚCI
IRF7749L1TRPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.14
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IRF7769L1TRPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
12730
NUMER CZĘŚCI
IRF7769L1TRPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.14
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
AUIRF7769L2TR
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
7950
NUMER CZĘŚCI
AUIRF7769L2TR-DG
CENA JEDNOSTKOWA
4.77
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
NUMER CZĘŚCI
IRF7779L2TRPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4142
NUMER CZĘŚCI
IRF7779L2TRPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.80
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
CSD18509Q5B
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
CSD23203W
MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
SPD22N08S2L-50
MOSFET N-CH 75V 25A TO252-3
IRF7807ZTR
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO