Numer produktu producenta:
IRF7759L2TR1PBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF7759L2TR1PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 75 V 26A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Magazyn:
12804688
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF7759L2TR1PBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
HEXFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
75 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
26A (Ta), 375A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 96A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
12222 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DirectFET™ Isometric L8
Pakiet / Walizka
DirectFET™ Isometric L8
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IRF7759L2TR1PBFCT
IRF7759L2TR1PBFDKR
SP001566426
IRF7759L2TR1PBFTR
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPW50R299CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
IRFR4620PBF
MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK
IRF9321PBF
MOSFET P-CH 30V 15A 8SO