Numer produktu producenta:
IRF7329TRPBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF7329TRPBF-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 12V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
Magazyn:
25277 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12810711
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF7329TRPBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
HEXFET®
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 P-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9.2A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
57nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3450pF @ 10V
Moc - Max
2W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Podstawowy numer produktu
IRF732
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IRF7329PBFTR
Q2720362
IRF7329PBFCT
IRF7329PBFDKR
SP001566104
*IRF7329TRPBF
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
HCT802TXV
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD
IRF7303PBF
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
TC8220K6-G
MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN
