Numer produktu producenta:
IRF7303TRPBFXTMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF7303TRPBFXTMA1-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 30V 4.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8-902
Magazyn:
11995 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13000536
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF7303TRPBFXTMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
HEXFET®
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
520pF @ 25V
Moc - Max
2W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-DSO-8-902
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IRF7303TRPBFXTMA1TR
448-IRF7303TRPBFXTMA1CT
448-IRF7303TRPBFXTMA1DKR
SP005876271
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF7341TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
2N7002DWK-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
IRF8910TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902