Numer produktu producenta:
IRF7233TR
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF7233TR-DG
Opis:
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Szczegółowy opis:
P-Channel 12 V 9.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Magazyn:
12804929
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF7233TR Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
HEXFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
74 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6000 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRLR3303TRR
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
IPP65R074C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220-3
IRFS3004-7PPBF
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK