Numer produktu producenta:
IRF6636TR1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF6636TR1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 18A (Ta), 81A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Magazyn:
12802651
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF6636TR1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
HEXFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
18A (Ta), 81A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2420 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DIRECTFET™ ST
Pakiet / Walizka
DirectFET™ Isometric ST
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IRF6636TR1CT
IRF6636TR1TR
SP001532396
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
EPC2034
GANFET N-CH 200V 48A DIE
IPB180N04S4LH0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPP21N03L G
MOSFET N-CH TO-220
