Numer produktu producenta:
IRF6633ATR1PBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF6633ATR1PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 16A (Ta), 69A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MU
Magazyn:
12804130
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF6633ATR1PBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
HEXFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
16A (Ta), 69A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1410 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DIRECTFET™ MU
Pakiet / Walizka
DirectFET™ Isometric MU
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001528328
IRF6633ATR1PBFTR
IRF6633ATR1PBFDKR
IRF6633ATR1PBFCT
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFS17N20DTRL
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
IRF3704PBF
MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB
IRF6609TR1PBF
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
