Numer produktu producenta:
IRF6621TR1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF6621TR1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 55A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Magazyn:
12802917
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF6621TR1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
HEXFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12A (Ta), 55A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9.1mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1460 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DIRECTFET™ SQ
Pakiet / Walizka
DirectFET™ Isometric SQ
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IRF6621
IRF6621TR1INACTIVE
IRF6621-DG
IRF6621TR1-DG
IRF6621TR1TR
SP001524780
IRF6621TR1CT
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF3805PBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
BSC030N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
IRFZ48Z
MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
