Numer produktu producenta:
IRF6215STRR
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF6215STRR-DG
Opis:
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Szczegółowy opis:
P-Channel 150 V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Magazyn:
12804710
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF6215STRR Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
HEXFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
290mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
860 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRF6215STRLPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5
NUMER CZĘŚCI
IRF6215STRLPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.54
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
NUMER CZĘŚCI
FQB12P20TM
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
FQB12P20TM-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.77
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB80N04S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IRF7807ZPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IRFR7440TRPBF
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK