Numer produktu producenta:
IRF5805TR
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF5805TR-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 3.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Magazyn:
12805775
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF5805TR Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
HEXFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
98mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
511 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
Micro6™(TSOP-6)
Pakiet / Walizka
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
NTGS4111PT1G
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
36278
NUMER CZĘŚCI
NTGS4111PT1G-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.15
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
FDC654P
PRODUCENT
Fairchild Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2325153
NUMER CZĘŚCI
FDC654P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.15
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRLR2905PBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRF7453TRPBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO
IRF7425
MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
