Numer produktu producenta:
IRF3205ZL
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF3205ZL-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Szczegółowy opis:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262
Magazyn:
12804633
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF3205ZL Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
HEXFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
75A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 66A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3450 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
170W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-262
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
*IRF3205ZL
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRF3205ZLPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3938
NUMER CZĘŚCI
IRF3205ZLPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.67
Rodzaj zastąpienia
Direct
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF3709ZCSTRR
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
IPN50R2K0CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
IPC60R380E6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE