Numer produktu producenta:
IRF300P227
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF300P227-DG
Opis:
MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
Szczegółowy opis:
N-Channel 300 V 50A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Magazyn:
268 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12815080
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF300P227 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
StrongIRFET™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
300 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
50A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4893 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
313W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
IRF300
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-IRF300P227
IFEINFIRF300P227
SP001582356
Pakiet Standard
25
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
EPC2001
GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
CSD25485F5T
MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR
IRFH7885TRPBF
MOSFET N-CH 80V 22A 8PQFN
