IRF1104PBF
Numer produktu producenta:

IRF1104PBF

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

IRF1104PBF-DG

Opis:

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB

Magazyn:

8447 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12822445
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IRF1104PBF Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
HEXFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
170W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IRF1104

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
2156-IRF1104PBF
SP001570050
*IRF1104PBF
Pakiet Standard
50

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
nxp-semiconductors

PH9930L,115

MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK56

infineon-technologies

IRFS4227TRLPBF

MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

littelfuse

MMIX1F420N10T

MOSFET N-CH 100V 334A 24SMPD

nxp-semiconductors

BUK7C5R4-100EJ

MOSFET N-CH 100V D2PAK-7