Numer produktu producenta:
IRF1010ESTRLPBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF1010ESTRLPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 84A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Magazyn:
1922 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12802910
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF1010ESTRLPBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
HEXFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
84A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3210 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IRF1010
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001553824
IRF1010ESTRLPBF-DG
IRF1010ESTRLPBFCT
IRF1010ESTRLPBFDKR
ROCINFIRF1010ESTRLPBF
IRF1010ESTRLPBFTR
2156-IRF1010ESTRLPBFINF
Pakiet Standard
800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF3717TR
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
IPB180N04S4L01ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPI120P04P4L03AKSA1
MOSFET P-CH 40V 120A TO262-3
