Numer produktu producenta:
IQE006NE2LM5ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IQE006NE2LM5ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-4
Magazyn:
4039 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12977988
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IQE006NE2LM5ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™5
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
41A (Ta), 298A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
650mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
82.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5453 pF @ 12 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSON-8-4
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
IQE006
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IQE006NE2LM5ATMA1TR
448-IQE006NE2LM5ATMA1DKR
448-IQE006NE2LM5ATMA1CT
SP002434946
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIHFL110TR-BE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
SI1443EDH-T1-BE3
MOSFET P-CH 30V 4A/4A SC70-6
IRF9620PBF-BE3
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
