Numer produktu producenta:
IPZ60R099C7XKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPZ60R099C7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
Magazyn:
12805343
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPZ60R099C7XKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™ C7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
22A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
99mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 490µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1819 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO247-4
Pakiet / Walizka
TO-247-4
Podstawowy numer produktu
IPZ60R099
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-IPZ60R099C7XKSA1
INFINFIPZ60R099C7XKSA1
SP001298006
Pakiet Standard
240
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
IRF150P221XKMA1
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
IRFH5015TRPBF
MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
